此为WORD版本，下载后可自行编辑，希望对您有帮助本文档为个人收集整理，如有疑问请尽快联系，谢谢脉冲金属探测器DIY线圈设计终稿脉冲金属探测器其线圈的设计有很多电路，出现在网络上的脉冲感应金属探测器。虽然它们用不同的方式去对信号做处理，产生磁场脉冲的电子元件，这些电子器件绝大多数都是相同的。它的主要部分，是产生磁脉冲的线圈。线圈的大小主要根据所需的探测深度和被检测的物体的最小尺寸。通常来说，能这样说，理论上的最大探测深度的线倍，和线圈?检测到的物体的最小尺寸的直径的百分之五。这是最大的价值和严重依靠的情况。这是显而易见的，你一个一米线米深。但是，你需要一个什么类型的线圈，这是一个详细的问题。很多人会用金属探测器搜寻钱币和珠宝。对这些情况，一个25厘米或40厘米的线圈就可以了。在我的使用情况，是我需要在一个两米的深度定位一个20厘米的铁盖或者装满金属的瓷器。这就是我为何需要去做一个1线圈。虽然线圈的物理尺寸和形状可能会发生明显的变化（正方形或椭圆形的线圈用于在特定的情况下，工作一样但最好为圆形的），只略有不同的电感线圈之间的不同的物理设计。广泛使用的最佳脉冲感应金属探测器搜寻线μH。在这个设计中，我将假定所使用的线μH。对于更小的线圈，就从另一方面代表着需要绕此为WORD版本，下载后可自行编辑，希望对您有帮助本文档为个人收集整理，如有疑问请尽快联系，谢谢更多的圈数。线圈是由常用的电池供电。10伏或12双电源是最有用的。将只收取与一个，两个电源的两侧，这给出了一个非对称的电池放电，如果个人会使用两个单独的电池组为电源的正和负侧的线圈。因此，我们将仅使用一个电池组10或12伏，并生成与一个DC/DC转换器的电源的另外一半电源。虽然这样做是用在商品化的金属检测器电路，但这样并不是十分理想。主要的问题是，所产生的DC/DC转换器的电压是有纹波的，这种纹波正与探测器器特别是在高频率时，这可能会产生一些不必要的耦合。我们将这样的一个问题归纳到电源上，现在只能假设我们的线伏（结合实际选择的电池组。充电电池等充电。）当电压通过一个高速双极晶体管或MOSFET，该电压被施加到线圈，在线圈中的电流将逐渐增加，直到它被充电晶体管和其他元件与线圈电阻线的内部电阻限制，如果脉冲的时间越长，磁场越高。这具有的优点和缺点。更强的磁场能穿透更深的土壤。但是，若选择的时间过厂，比如说350μs，你可能会过度饱和的地面，没办法找到小物件，产生背景噪音。因此，我们有250μsec左右的值，以限制最大的充电时间，电路电阻应该足够低，以便在该期间内的足够的电流在线圈中产生。电流是由线圈与MOSFET中到负电源中的总电阻值确定。但在选择的时候要考虑它的平安系数去选择线圈最大的阻值。许多脉冲感应金属探测器中使用的功率晶体管和此为WORD版本，下载后可自行编辑，希望对您有帮助本文档为个人收集整理，如有疑问请尽快联系，谢谢MOSFET至少有5安培的最大连续电流。如果我们制作的线圈，是根据这样一种方式，它有一个至少为2的欧姆电阻，将整个线圈和回路的最大电流将永久不会超过最大的电池组和电池满载7.5安培。2欧姆线圈电阻与电路电阻之和总共3欧姆用12伏的电压，流过线μsec上面提到的，一个协作严密的脉冲感应金属探测器，对地下大深度寻找宝藏是绰绰有余。现在，我们已定义了线圈的电感和电阻，但是线圈在这没有说太多的物理设计，如果我们不知道尺寸。在任何各种参数下，我尽可能接近上述的电感和电阻值。这将削减电荷脉冲长度和放电电阻值时，转变线圈的问题。常见的脉冲感应线圈与它们的物理性质大小塑造圈数线毫米圆310.40毫米/0.14毫米2394μH2.0欧姆O175毫米圆280.40毫米/0.14毫米2387μH2.1欧姆0.40毫米/0.14毫米2406μH2.2欧姆250毫米圆220.40毫米/0.14毫米2380μH2.3欧姆300毫米圆200.50毫米/0.20毫米2390μH1.6欧姆400毫米圆170.50毫米/0.20毫米2396μH1.8欧姆500毫米圆150.50毫米/0.20毫米2400μH2.0欧姆1.01.0米方101.4米方80.66毫米/0.34毫米2387μH2.2欧姆1.81.870.80毫米/0.50毫米2398μH1.7欧姆在此表中的值是理论值，由线圈的物理外形决定。尤其是电感量可以由线与此为WORD版本，下载后可自行编辑，希望对您有帮助本文档为个人收集整理，如有疑问请尽快联系，谢谢线之间的距离变化，即使是电感量有不同的变化。，即使电感不同，这里提到的值的10％或20％，线圈都能正常运作，圆形线线径的电缆，但一定要购买没有屏蔽的。电曲线和卑视的线圈的放电曲线图可以被分为三个部分。第1阶段：在驱动MOSFET的击穿效应大多数脉冲金属探测器使用MOSFET，通过线圈的电流脉冲来调节。我们的设计也将采纳MOSFETFOT这个任务。如果MOSFET被关闭时，电流由线圈中并联的电阻中的产生回路，该回路应与线圈的电感亲密匹配的。对于理想的阻尼的400μH线μ的电感线欧姆的电阻。如果我们加在线欧姆的放电电阻器的电压将达到峰值到1360不是一般的功率元件可处理此电压，特别是功率MOSFET的用于驱动搜寻线?伏之间，根据功率元件的品牌和型号的。这在某种程度上预示着，在第一阶段期间的线圈放电，在线圈上的电压将被限制到大约500伏特，通过并联电阻中流过的电流的一部分，和它的一部分，通过驱动功率MOSFET。这是不太理想的，由于更高的放电电压意味着更快的磁场切换，但此为WORD版本，下载后可自行编辑，希望对您有帮助本文档为个人收集整理，如有疑问请尽快联系，谢谢我们该庆幸的，这MOSFET的动作其实是防止其他部件被损坏。脉冲的时间停留在第1阶段的放电曲线的量依靠于流经线圈的电流的放电开头时，击穿电压的MOSFET和线圈，布线和并联电阻器的电阻的总和。假设在循环中的主电阻体由并联电阻引起，我们大家可以用下列公式计算的长度的第一阶段：TS1=L线圈*（I的线圈Vbrkdown/R潮湿）/Vbrkdown显然，这个公式是唯一有效的，当我线圈Vbrkdown/R潮湿的，由于否则的第一阶段从来就没进入理想的曲线立即进入第二阶段的。具有400μH的线欧姆的阻尼电阻器，一个初始2培和MOSFET的击穿电压为500 伏的线圈电流在我们的 例子中， 该第一阶段的放电曲线 阶段：在阻 尼电阻器线圈电压高电流衰减一旦由电流在线圈中感应 的电压已达到以下的值的MOSFET 的击穿电压时，电流 将指数衰减到零。可以转变这种衰变的电流回路中的总电 阻和线圈中的磁场的物理性质。的磁力线在到达金属可以 转变的衰减曲线的第二个阶段，但也存在一些问题检测到 它们。首先是非常高的电压。当线圈电压下降到低于 MOSFET 的击穿电压时，第2 阶段进入（某处大约500 伏），并结束的电压被降低到足以被捡起，常见的模拟电 路（通常是0.5 伏左右）。此阶段也是非常短的，这使得它难以执行牢靠的测量，这给任有关下列内容的信 此为WORD 版本，下载后可自行编辑，希望对您有帮助 本文档为个人收集整理，如有疑问请尽快联系，谢谢 息的存在。 或在到达的磁场的金属大多数脉冲感应金属探测器，因 此就跳过第二个阶段，并等待开头检测和卑视周期的第三 阶段。基于DSP 的检测器是不同的，由于它会自动侦测 的准确时刻时的放电曲线 阶段到第三阶段。常见 的脉冲感应金属探测器，信号处理电路，阻尼电阻器有两 个平行的定位二极管串联。这些二极管充当拉一侧的电阻 两侧之一的电源侧的电压限制器。这是作用的信号在模拟 处理的虚拟接地的电源侧。只要线 些二极管需要打开，二极管上的电压其实就是固定的。一旦线圈电压下降到低于此值，二极管靠近和测得的电压在 线圈的实际剩余电压。在我们的例子线μsec，直到线圈中的电流已经降到足够拉这个魔法值0.7 伏以下的电压。此较少的装置 的放电曲线的第二阶段，和持久的涡流可以被检测的最后 阶段开头结束。如果金属是在磁场的范围内，进入第三阶 段的时刻，将转移。有色金属将导致线圈的电感增加，实 际上导致延迟的过渡点。将导致第三阶段，将前面输入的 非铁金属。我没有解释的过渡点的精确测量，我们应该一 个又好又快的模拟测量系统和快速的CPU 计算周期。这 是我们的数字信号处理器。第三阶段：最后的电流衰减和 涡流在最后的阶段，被堵塞的润湿电阻由两个系列二极管， 电流进一步在辅助电阻器在电路衰减。 此为WORD 版本，下载后可自行编辑，希望对您有帮助 本文档为个人收集整理，如有疑问请尽快联系，谢谢 现在中流淌的电流，该电流的初始线圈电流的残余，并 且金属在附近的涡流所引起的电流。这是历史的阶段，模 拟和微掌握器为基础的脉冲感应金属探测器的信号分析。 在此区域中的信号的分析是困难的原因有两个。首先，信 号电平非常低，这就需要有一个放大的100?1000 获得一些信息。这也将放大的信号中的噪声。第二个问题是，在主区域用于识别是在约第一个30 微秒的衰变。忽 视了第一部分的衰减曲线设计，正确识别金属种类将是非 常困难的。模拟脉冲感应金属探测器和基本的基于微掌握 器的版本甚至更进一步去不看着的信号形状本身，但它在 一个积分电容器平均。